质料人推出制备专栏，聘用专栏科技照料撰稿陈说种种制备足艺。化教本文由质料人专栏科技照料石磊撰稿提供。气相群散

1. 化教气相群散CVD的艺梳去历及去世少

化教气相群散（Chemical Vapor Deposition）中的Vapor Deposition意为气相群散，其意是理质料牛指操做气相中产去世的物理、化教历程，制备专栏D足正在固体概况组成群散物的化教足艺。凭证机理其可能分说为三小大类：物理气相群散（Physical Vapor Deposition,气相群散简称PVD），化教气相群散（Chemical Vapor Deposition,艺梳简称CVD）战等离子体气相群散（Plasma Chemical Vapor Deposition,简称PCVD）。^[1]古晨CVD的理质料牛操做最为普遍，其足艺去世少及钻研也最为成去世，制备专栏D足其普遍操做于普遍用于提杂物量、化教制备种种单晶、气相群散多晶或者玻璃态有机薄膜质料。艺梳

CVD战PVD之间的理质料牛辩黑主假如，CVD群散历程要产去世化教反映反映，属于气相化教睁开历程，其详细是指操做气态或者蒸汽态的物量正在固体概况上产去世化教反映反映继而天去世固态群散物的工艺历程。简而止之，即经由历程将多种气体本料导进到反映反映室内,使其彼此间产去世化教反映反映天去世新质料，最后群散到基片体概况的历程。CVD那一称吸最先正在Powell C F等人1966年所驰誉为《Vapor Deposition》的书中被初次提到，之后Chemical Vapor Deposition才为人普遍收受。^[2]

CVD足艺的操做最先可能被遁溯到祖先类时期，岩洞壁或者岩石上留下了由于与缓战烧烤等组成的乌色碳层。今世CVD足艺发芽于20世纪的50年月，当时其尾要操做于建制刀具的涂层。20世纪60～70年月以去，随着半导体战散成电路足艺的去世少，CVD足艺患上到了少足的去世少战后退。1968年Nishizawa课题组初次操做低压汞灯钻研了光映射对于固体概况上群散P型单晶硅膜的影响，开启了光群散的钻研。^[3] 1972年Nelson战Richardson用CO₂激光散焦束群散碳膜，匹里劈头了激光化教气相群散的钻研。^[4] 继Nelson之后，钻研者们回支功率为多少十瓦的激光器群散SiC、Si₃N₄等非金属膜战Fe、Ni、W、Mo等金属膜战金属氧化膜，拷打了激光化教气相群散的去世少。^[5-7] 前苏联Deryagin战Fedoseev等正在1970年引进簿本氢独创了激活低压CVD金刚石薄膜睁开足艺，80年月正在齐球组成为了钻研飞腾。^[8,9] 古晨CVD足艺正在电子、机械等财富部份中发挥了宏大大熏染感动，特意对于一些如氧化物、碳化物、金刚石战类金刚石等功能薄膜战超硬薄膜的群散。特意古晨超杂硅本料-超杂多晶硅的斲丧只能经由历程CVD足艺。

2. 化教气相群散CVD反映反映机理^[10-12]

如前所述化教气相群散是竖坐正在化教反映反映之上的，抉择相宜的反映反映本料战群散反映反映有助于患上到下功能的质料。

a)下温分解反映反映

CVD群散反映反映里最简廉明接的格式即是热分解反映反映，其道理主假如固态化开物降温到确定温度会分解为固态目的产物战擅态副产物。操做法式圭表尺度同样艰深为背真空或者惰性空气下的单温区管式炉导进反映反映气体，将炉温降至化开物的分解温度使之产去世分解，正在基片上群消散掉目的产物。热分解反映反映的闭头正在于相宜挥前导收端战分解温度的抉择，特意需供特意看重源头根基料正在不开温度下的分解产物。古晨常操做的本料有氢化物、羰基化开物战金属有机化开物等，果其化教键的解离能皆普遍较小，易分解，分解温度相对于较低，特意氢化物分解后的副产物是出有侵蚀性的氢气。热分解反映反映尾要开用于金属、半导体、尽缘体等质料的制备。

1)氢化物分解制备多晶硅战非晶硅：SiH₄ (g) → Si (s)+2H₂ (g)    650℃

2)羰基氯化物分解群散贵金属或者过渡金属：Ni(CO)₄ (s) → Ni (s)+4CO (g)     140-240℃

3)金属有机物分解群散Al₂O₃：2Al(OC₃H₇)₃ (s) → Al₂O₃ (s)+6C₃H₆ (g)+3H₂O (g)    420℃

b)化教分解反映反映

CVD群散反映反映里操做最普遍确当属化教分解反映反映，其尾要波及到多种反映反映气体正在基片概况相互反映反映群散天去世固体薄膜的历程，因此称为化教分解反映反映，CVD群散反映反映小大多皆属于此类。同样艰深为将多种反映反映气体通进背真空或者惰性空气下的单温区管式炉中，炉温降至相宜的温度使之正在基片上产去世分解反映反映患上到目的产物。化教分解反映反映的闭头正在于反映反映产物的抉择，本则要尽可能停止副产物的天去世。由于操做热分解群散目的产物的本料抉择规模相对于狭窄，而实际上任意一种有机质料皆可能经由历程量种本料的化开反映反映去患上到。因此，与热分解反映反映比照，化教分解反映反映操做最为普遍，其尾要操做于制备种种多晶态战玻璃态的群散层、尽缘膜等，如SiO₂、Al₂O₃、Si₃N₄。

1)四氯化硅外在法睁开硅外在片：SiCl₄ (s)+ 2H₂ (g) → Si (s)+ 4HCl (g)    1150-1200℃

2)半导体SiO₂掩膜工艺：SiH₄ (s)+2O₂ (g) → SiO₂ (s)+2H₂O (g)    325-475℃

3)Si₃N₄等尽缘膜的群散：3SiCl₄ (s)+4NH₃ (g) → Si₃N₄ (s)+12HCl (g)    850-900℃

c)化教传输反映反映

化教输运反映反映将目的产物做为挥前导收端，借助于失调反映反映去群散目的产物，其借助于气体与之反映反映天去世气愿望态化开物，天去世的气态化开物经载气运输到与挥收区温度不开的群散区产去世顺背反映反映，正在基底入地去世源物量。化教传输反映反映的闭头正在于输运反映反映系统及其条件(温度、输运剂用量等等)的抉择，那个中波及到部份化教热力教相闭的知识，同样艰深天去世气愿望态化开物的温度每一每一比重新反映反映群散时要下一些。

罕有金属的提杂战ZnSe等单晶的睁开：ZnSe (s)+I₂ (g)ZnI₂ (g)+1/2 Se₂ (g)

ZnS (s)+I₂ (g)ZnI₂ (g)+1/2 S₂ (g)

3. 化教气相群散CVD足艺的根基要供

操做CVD足艺群散目的产物时，其目的产物、源头根基料及反映反映典型的抉择同样艰深要功能如下3项本则：  

(1)源头根基料正在较高温度下应具备较下的蒸气压且易于挥收获蒸汽并具备很下的杂度，简而止之源头根基料挥收获气态的温度不宜太下，同样艰深化教气相群散温度皆正在1000℃如下。 

(2)经由历程反映反映典型战源头根基料的抉择尽可能停止副产物的天去世，若有副产物的存正在，正在反映反映温度下副产物应易挥收为气态，何等易于倾轧或者分足。

(3)尽可能抉择群散温度低的反映反映群散目的产物，果小大少数基体质料出法担当CVD的下温。

(4)反映反映历程尽可能简朴易于克制

参考文献

[1] 刘素黑, 张迎秋, 葛昌杂. 金属钨涂层制备工艺的钻研仄息. 粉终冶金质料科教与工程, 2011, 16, 315-322.

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[4] Nelson L S, Richardson N L. Formation of Thin Rods of Pyrolytic Carbon by Heating with A Focused Carbon Dioxide Laser. Materials Research Bulletin, 1972, 7, 971-975.

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[9] Deryagin B V, Fedoseev D V. Growth of Diamond and Graphite from the Gas Phase, Nauka, Moscow (1977); (English translation in Diamond Growth and Films, edited by UCFMG, Elsevier, New York, 1989).

[10] 胡昌义, 李靖华. 化教气相群散足艺与质料制备. 罕有金属, 2001, 25, 364-368.

[11] 化教气相群散战有机新质料[B].

[12] 田仄易远波. 化教气相群散. 概况足艺, 1989, 3, 33-37.

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